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IRS2334SPbF/MPbF
Application Information and Additional Details
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IGBT/MOSFET Gate Drive
Switching and Timing Relationships
Deadtime
Matched Propagation Delays
Input Logic Compatibility
Shoot-Through Protection
Under-Voltage Lockout Protection
Truth Table: Under-Voltage lockout
Advanced Input Filter
Short-Pulse and Noise Rejection
Tolerant to Negative V S Transients
PCB Layout Tips
Additional Documentation
IGBT/MOSFET Gate Drive
The IRS2334 HVIC is designed to drive high side and low side MOSFET or IGBT power devices. Figures 1 and 2
show the definition of some of the relevant parameters associated with the gate driver output functionality. The
output current that drives the gate of the external power switches is defined as I O . The output voltage that drives
the gate of the external power switches is defined as V HO for the high side and V LO for the low side; this
parameter is sometimes generically called V OUT and in this case the high side and low side output voltages are
not differentiated.
V B
(or V CC )
H
I O+
V B
(or V CC )
H
(or LO)
+
V H (or V L )
(or LO)
I O -
(or
V S
)
-
(or
V S
)
Figure 1: HVIC sourcing current
www.irf.com
12
Figure 2: HVIC sinking current
? 2010 International Rectifier
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